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  • RMWV6416AGSA-5S2#AA0

RMWV6416AGSA-5S2#AA0

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
55ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
48-TSOP I
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Taille de mémoire:
64 Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Emballage / boîtier:
48-TFSOP (0,724", largeur de 18,40 mm)
Organisation de la mémoire:
4M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
55 ns
Format de mémoire:
SRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
RMWV6416AGS - LPSR avancé de 64 Mb
Description de produit
SRAM - mémoire asynchrone IC 64Mbit parallèle 55 ns 48-TSOP I

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