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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • DS1270AB-100#

DS1270AB-100#

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
100ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
36-EDIP
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Analog Devices Inc./Maxim intégré
Taille de mémoire:
16 Mbit
Voltage - alimentation:
4.75V à 5.25V
Temps d'accès:
100 NS
Emballage / boîtier:
Module de 36-DIP (0,610" et 15,49 mm)
Organisation de la mémoire:
2M x 8
Température de fonctionnement:
Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Technologie:
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Numéro du produit de base:
La valeur de l'émission est la valeur de l'émission
Format de mémoire:
NVSRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de commande de l'IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
Description de produit
La mémoire IC NVSRAM (SRAM non volatile) est de 16 Mbit parallèle à 100 ns 36-EDIP

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