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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
9Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'étoiles est de:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Fréquence d'horloge:
150 mégahertz
Voltage - alimentation:
3.135V à 3.465V
Temps d'accès:
3,8 NS
Emballage / boîtier:
Les pièces détachées
Organisation de la mémoire:
512K x 18
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)
Numéro du produit de base:
Pour l'aéronef
Format de mémoire:
SRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de gestion de l'énergie est un système de gestion de l'énergie qui utilise des systèmes d
Description de produit
SRAM - mémoire IC synchrone, SDR (ZBT) 9Mbit parallèle 150 MHz 3,8 ns 119-PBGA (14x22)

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