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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
25ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
48-FBGA (6x10)
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Infineon Technologies
Taille de mémoire:
1Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
25 ns
Emballage / boîtier:
48-TFBGA
Organisation de la mémoire:
64K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Numéro du produit de base:
CY14V101
Format de mémoire:
NVSRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
PARALLÈLE 48FBGA D'IC NVSRAM 1MBIT
Description de produit
La mémoire IC NVSRAM (SRAM non volatile) est de 1 Mbit parallèle 25 ns 48-FBGA (6x10)

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