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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
45ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TSOP II
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Infineon Technologies
Taille de mémoire:
4Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
45 ns
Emballage / boîtier:
54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
256K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Numéro du produit de base:
CY14B104
Format de mémoire:
NVSRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Description de produit
La mémoire IC NVSRAM (SRAM non volatile) est de 4 Mbit parallèle 45 ns 54-TSOP II

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