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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la zone géographique.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
MoBL®
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
70ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le système de réglage de la fréquence de l'aéronef doit être équipé d'un système de réglage de la fr
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Taille de mémoire:
2Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V | 3.3V
Emballage / boîtier:
36-VFBGA
Organisation de la mémoire:
256K x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
70 ns
Format de mémoire:
SRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
CY62138CV30 - 2 Mbit (256 K X 8)
Description de produit
SRAM - mémoire asynchrone IC 2Mbit parallèle 70 ns 36-VFBGA (6x8)

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