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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
25ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Infineon Technologies
Taille de mémoire:
16 Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
25 ns
Emballage / boîtier:
165-LBGA
Organisation de la mémoire:
1M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Numéro du produit de base:
CY14B116
Format de mémoire:
NVSRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de réglage de la fréquence de l'appareil doit être conforme à la norme ISO/IEC 17046.
Description de produit
La mémoire IC NVSRAM (SRAM non volatile) est de 16 Mbit parallèle à 25 ns 165-FBGA (15x17)

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