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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
10ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
256-CABGA (17x17)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Taille de mémoire:
9Mbit
Voltage - alimentation:
2,4 V ~ 2,6 V
Temps d'accès:
10 ns
Emballage / boîtier:
256-LBGA
Organisation de la mémoire:
256K X 36
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Port double, asynchrone
Numéro du produit de base:
70T651
Format de mémoire:
SRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de gestion des données est un système de gestion des données.
Description de produit
SRAM - Port double, mémoire asynchrone IC 9Mbit parallèle 10 ns 256-CABGA (17x17)

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