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  • MT47H256M8EB-25E : C

MT47H256M8EB-25E : C

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
2Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
60-FBGA (9x11.5)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge:
400 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V à 1.9V
Temps d'accès:
400 picosecondes
Emballage / boîtier:
60-TFBGA
Organisation de la mémoire:
256M x 8
Température de fonctionnement:
0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Numéro du produit de base:
MT47H256M8
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Les données de base sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Description de produit
SDRAM - mémoire DDR2 IC 2Gbit parallèle 400 MHz 400 ps 60-FBGA (9x11.5)

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