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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
8Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
200-TFBGA (10x14.5)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
1,6 gigahertz
Voltage - alimentation:
1Pour les appareils à commande numérique, le réglage de la tension doit être effectué à l'aide d'un
Emballage / boîtier:
200-TFBGA
Organisation de la mémoire:
256M x 32
Température de fonctionnement:
-40°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM - LPDDR4 mobile
Numéro du produit de base:
Le produit doit être présenté sous forme d'une couverture.
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Les données de base sont fournies par le système d'exploitation.
Description de produit
SDRAM - mémoire mobile LPDDR4 IC 8Gbit parallèle 1,6 GHz 200-TFBGA (10x14.5)

Étiquettes:

Puce d'IC de mémoire instantanée,

Puce de circuit intégré,

Puces de mémoire

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