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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
512Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
84-TWBGA (8x12.5)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
333 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V à 1.9V
Temps d'accès:
450 picosecondes
Emballage / boîtier:
84-TFBGA
Organisation de la mémoire:
32M x 16
Température de fonctionnement:
0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Numéro du produit de base:
Les produits de base sont les suivants:
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
Description de produit
SDRAM - mémoire DDR2 IC 512Mbit parallèle 333 MHz 450 ps 84-TWBGA (8x12.5)

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