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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
2Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
133 mégahertz
Voltage - alimentation:
3.135V | 3.6V
Temps d'accès:
4 ans
Emballage / boîtier:
100-LQFP
Organisation de la mémoire:
64K x 32
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchrone, DTS
Numéro du produit de base:
Pour les produits de base:
Format de mémoire:
SRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
IC SRAM 2MBIT PARALÈL 100TQFP
Description de produit
SRAM - mémoire IC SDR synchrone 2Mbit parallèle 133 MHz 4 ns 100-LQFP (14x20)

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