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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
512Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
66-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
2.5V ~ 2.7V
Temps d'accès:
700 picosecondes
Emballage / boîtier:
66-TSSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
64M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Numéro du produit de base:
Pour les appareils de surveillance de la sécurité
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Les données de base sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Description de produit
SDRAM - mémoire DDR IC 512 Mbit parallèle 200 MHz 700 ps 66-TSOP II

Étiquettes:

Puce d'IC de mémoire instantanée,

Puce de circuit intégré,

Puces de mémoire

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