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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • MR0A08BYS35

MR0A08BYS35

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
35ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le numéro de série
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Everspin Technologies Inc.
Taille de mémoire:
1Mbit
Voltage - alimentation:
3V à 3,6V
Temps d'accès:
35 ns
Emballage / boîtier:
44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
128K x 8
Température de fonctionnement:
Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Technologie:
une résistance à la combustion de l'air supérieure ou égale à 1 kPa;
Numéro du produit de base:
Le numéro d'immatriculation
Format de mémoire:
La RAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
La mémoire vive IC 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
Description de produit
MRAM (RAM magnétorésistive) mémoire IC 1Mbit parallèle 35 ns 44-TSOP2

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