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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
64 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
90-TFBGA (8x13)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
133 mégahertz
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
6 ns
Emballage / boîtier:
90-TFBGA
Organisation de la mémoire:
2M x 32
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SDRAM - Pour appareils mobiles
Numéro du produit de base:
Le nombre d'émissions de CO2
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Les données sont fournies par le système d'exploitation.
Description de produit
SDRAM - mémoire mobile IC 64 Mbit parallèle 133 MHz 6 ns 90-TFBGA (8x13)

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