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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Le nombre de personnes concernées par l'examen est déterminé par le tableau ci-après:
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
2Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique, le réglage de l'échantillon doit être effectué à l'aide d'u
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
L'électronique de Winbond
Fréquence d'horloge:
667 MHz
Voltage - alimentation:
1.425V | 1.575V
Temps d'accès:
20 ns
Emballage / boîtier:
78-VFBGA
Organisation de la mémoire:
256M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM - DDR3
Numéro du produit de base:
Le numéro de série W632GG8
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Les données de base sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Description de produit
SDRAM - mémoire DDR3 IC 2Gbit parallèle 667 MHz 20 ns 78-VFBGA (8x10.5)

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