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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie 1 ou 2.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
4Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
96-TWBGA (9x13)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
800 MHz
Voltage - alimentation:
1.425V | 1.575V
Temps d'accès:
20 ns
Emballage / boîtier:
96-TFBGA
Organisation de la mémoire:
256M x 16
Température de fonctionnement:
0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM - DDR3
Numéro du produit de base:
Le produit est soumis à un contrôle d'approvisionnement.
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement
Description de produit
SDRAM - mémoire DDR3 IC 4Gbit parallèle 800 MHz 20 ns 96-TWBGA (9x13)

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