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Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé en fonction de la fréquence de production.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
18Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
165-TFBGA (13x15)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
2.375V ~ 2.625V
Temps d'accès:
3 NS
Emballage / boîtier:
165-TBGA
Organisation de la mémoire:
512K X 36
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchrone, DTS
Numéro du produit de base:
Le nombre d'unités de traitement est le suivant:
Format de mémoire:
SRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de stockage de données doit être configuré de manière à ce que le système de stockage de
Description de produit
SRAM - mémoire IC SDR synchrone de 18 Mbit parallèle à 200 MHz 3 ns 165-TFBGA (13x15)

Étiquettes:

Puce d'IC de mémoire instantanée,

Puce de circuit intégré,

Puces de mémoire

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