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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
4Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
117 mégahertz
Voltage - alimentation:
2.375V ~ 2.625V
Temps d'accès:
7,5 NS
Emballage / boîtier:
100-LQFP
Organisation de la mémoire:
128K x 32
Température de fonctionnement:
-40 °C à 125 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchrone, DTS
Numéro du produit de base:
Le nombre d'équipements utilisés
Format de mémoire:
SRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de traitement de données est un système de traitement de données qui utilise les données
Description de produit
SRAM - IC mémoire SDR synchrone 4Mbit parallèle 117 MHz 7,5 ns 100-LQFP (14x20)

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