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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
576 Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
10,066 GHz
Voltage - alimentation:
1.28V ~ 1.42V
Emballage / boîtier:
168-LBGA
Organisation de la mémoire:
32 M x 18
Température de fonctionnement:
-40°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
RLDRAM 3
Temps d'accès:
7,5 NS
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Description de produit
RLDRAM 3 mémoire IC 576Mbit parallèle 1,066 GHz 7,5 ns 168-FBGA (13,5x13,5)

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