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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
4Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
Automobile, AEC-Q100
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
HSUL_12
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Fréquence d'horloge:
533 mégahertz
Voltage - alimentation:
1.14V | 1.3V, 1.7V | 1.95V
Temps d'accès:
5,5 NS
Emballage / boîtier:
168-VFBGA
Organisation de la mémoire:
128M x 32
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM - LPDDR2-S4 mobile
Numéro du produit de base:
Le nombre d'unités
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Les données sont fournies par les fournisseurs de services.
Description de produit
SDRAM - IC de mémoire mobile LPDDR2-S4 4Gbit HSUL_12 533 MHz 5,5 ns 168-VFBGA (12x12)

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