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MT5E512M32D1ZW-046BAUT:B
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
16Gbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
Automobile, AEC-Q100
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
18ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
200-TFBGA (10x14.5)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge:
2,133 gigahertz
Voltage - alimentation:
1.06V | 1.17V
Emballage / boîtier:
200-TFBGA
Organisation de la mémoire:
512M x 32
Température de fonctionnement:
-40°C | 125°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Technologie:
SDRAM - LPDDR4X mobile
Temps d'accès:
3,5 NS
Format de mémoire:
DRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Les données sont fournies par le système d'exploitation.
Description de produit
SDRAM - IC de mémoire mobile LPDDR4X 16Gbit parallèle 2,133 GHz 3,5 ns 200-TFBGA (10x14.5)

Étiquettes:

Puce d'IC de mémoire instantanée,

Puce de circuit intégré,

Puces de mémoire

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