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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - mémoire IC asynchrone 4Mbit parallèle 12 ns 44-TSOP II
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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - mémoire IC asynchrone 4Mbit parallèle 12 ns 44-TSOP II

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - mémoire IC asynchrone 4Mbit parallèle 12 ns 44-TSOP II

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) Mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
en vrac
Série:
R1RW0416DI
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
12ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
44-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
RENESAS
Taille de mémoire:
4Mbit
Voltage - alimentation:
3V à 3,6V
Emballage / boîtier:
44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
256K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
12 ns
Format de mémoire:
SRAM
Surligner: 

R1RW0416DSB-2PI#D1

,

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM

Conditions de paiement et d'expédition
Définition
R1RW0416D-I - Température élevée R
Description de produit

SRAM - IC de mémoire asynchrone 4Mbit parallèle 12 ns 44-TSOP II

Étiquettes:

Puce d'IC de mémoire instantanée,

Puce de circuit intégré,

Puces de mémoire

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